DSO-TC4 è un oscilloscopio a transistor multifunzionale lanciato da FNIRSI, che è completo e pratico, ed è progettato per i settori della manutenzione e della ricerca e sviluppo. Integra un oscilloscopio, un generatore di segnali e un transistor.
Le caratteristiche principali del prodotto sono:
Funzioni dell'oscilloscopio:
Frequenza di campionamento: 48MSa/s
Larghezza di banda analogica: 10MHz
Protezione da sovratensione: ±400V
Memorizzazione della forma d'onda: supporta il salvataggio e la visualizzazione degli screenshot, il che è comodo per l'analisi dei dati
Funzione generatore di segnale:
Supporta 13 uscite d'onda, intervallo di frequenza 0-50KHz, tensione di uscita regolabile 0-3V.
I parametri di uscita (frequenza, ampiezza, ciclo di lavoro) sono regolabili, flessibili per soddisfare varie esigenze
Funzione del transistor:
Alta efficienza: identifica automaticamente il tipo e la disposizione dei pin del componente testato, semplifica il processo operativo e migliora l'efficienza del test
Diverse categorie: Rilevare e analizzare le prestazioni e le caratteristiche dei componenti semiconduttori come transistor, diodi, triodi, transistor ad effetto di campo (FET), ecc.
Design portatile:
Dotato di uno schermo TFT a colori da 2,8 pollici, l'immagine è chiara e intuitiva
Batteria ricaricabile al litio integrata ad alta capacità (1500mAh), tempo di standby 4 ore
Sonda 1:1: 80Vpp (+40V) Sonda 10:1: 800Vpp (+400V)
Sensibilità Verticale
10mV/div~10V/div (intervallo X1)
Spostamento verticale
Regolabile con indicazione
Intervallo di base temporale
50 ns~20 s
Modalità di attivazione
Auto/Normale/Singolo
Tipo di trigger
Bordo di salita, bordo di discesa
Livello di attivazione
Regolabile con indicazione
Congelamento della forma d'onda
Sì (funzione HOLD)
Misurazione Automatica
Max, Min, Media, RMS, Vpp, Frequenza, Ciclo, Ciclo di lavoro
Test dei componenti
Transistor
Fattore di amplificazione "hfe"; Tensione Base-Emettitore "Ube", Ic/Ie, Corrente di perdita inversa Collettore-Emettitore "Iceo", Ices, Caduta di tensione diretta del diodo di protezione "Uf"
Diodo
Caduta di tensione diretta <5V (Caduta di tensione diretta, Capacitanza di giunzione, Corrente di perdita inversa)
Diodo Zener
0,01~32 V Tensione di rottura inversa (Area di test K-A-A)
Transistor a effetto di campo (FET)
JFET: Capacità di gate "Cg", Corrente di drain Id sotto "Vgs", Caduta di tensione diretta del diodo di protezione "Uf" IGBT: Corrente di drain Id sotto Vgs, Caduta di tensione diretta del diodo di protezione Uf MIOSTET: Tensione di soglia "Vt", Capacità del gate "Cg", Resistenza Drain-Source "Rds", Caduta di tensione diretta del diodo di protezione "Uf"
SCR unidirezionale
Tensione di trigger <5V, livello Gate (tensione Gate)
SCR bidirezionale
Corrente di trigger <6mA (Tensione del gate)
Condensatore
25pF~100mF, Valore della capacità, Fattore di perdita "Vloss"
Resistore
0,01Ω~50MΩ
Induttore
10μH~1000μH, resistenza DC
DS18B20
Sensore di temperatura, Pin: GND, DQ, VDD
DHT11
Sensore di temperatura e umidità, Pin: VDD, DATA, GND
Il dispositivo deve essere conservato in una custodia morbida e l'ambiente operativo deve essere a una temperatura di -5~40℃, e l'umidità relativa non deve superare l'80%.
Il dispositivo deve essere conservato in un luogo pulito e asciutto per evitare umidità, muffa, pressione eccessiva, danni meccanici, umidità e luce solare diretta.
Evitare di utilizzare sotto la pioggia o la nebbia, evitare di far cadere o urtare.
Quando lo schermo LCD non si accende, indica che la tensione è troppo bassa e deve essere ricaricato in tempo.
Diritti d'autore
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